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MJE340 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：300V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极电流（I_C）：0.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=100mA
集电极耗散功率（P_C）：20.8W @ T_C≤25℃
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 240 @ I_C=50mA
与 MJE350（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

MJE340 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有 300V 的高集电极-发射极击穿电压与 0.5A 的电流能力，饱和压降低、增益线性度好，与 PNP 型 MJE350 互补配对，适用于开关电路与通用放大等高压通用场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	300	300	3	0.5	0.5	30	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	3	V
I_C	集电极电流（连续）	0.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C≤25℃	20.8	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	300	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=300V；I_B=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=50mA；V_CE=10V	30	240	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=100mA；I_B=10mA	--	0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=50mA；V_CE=10V	--	1.0	V

应用

开关应用开关电路（Switching Applications）应用。
通用放大器通用放大（General Purpose Amplifiers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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