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MJE3055TSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：70V
集电极电流（I_C）：10A
饱和压降：V_CE(sat)=1.1V（Max）@ I_C=4A（8.0V @ 10A）
集电极耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 70 @ I_C=4A
与 MJE2955T（PNP）互补配对
封装：TO-220AB（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJE3055T 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220AB 封装，具有 60V/10A 的电压电流能力与 75W 的集电极耗散功率，与 PNP 型 MJE2955T 互补配对，适用于通用放大与功率开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-N	70	60	5	10	1.1	20	70	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	6	A
P_C	总耗散功率	75	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.66	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.4A	--	1.1	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=3.3A	--	8.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=4V；I_C=4A	--	1.8	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=70V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=4V	20	70	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	5	--	--

应用

功率开关功率开关（Power switching circuits）应用。
通用放大器通用放大（General-purpose amplifiers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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