MJE182 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
集电极电流（I_C）：3A，峰值 6A
集电极耗散功率（P_C）：12.5W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 250 @ I_C=100mA
低饱和压降：V_CE(sat)=0.3V（Max）@ I_C=500mA
与 PNP 型 MJE172 互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

MJE182 是一款硅 NPN 外延平面功率三极管，采用 TO-126 封装，具有 100V 集电极-基极电压、80V 集电极-发射极电压与 3A 集电极电流能力，直流电流增益 50~250，饱和压降低、开关速度快，与 PNP 型 MJE172 构成互补配对，适用于低功率音频放大、高速开关与通用驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	100	80	7	3	0.3	50	250	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	6	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	12.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=1V	50	250	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=500mA；V_CE=1V	30	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=1V	12	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	0.3	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=150mA	--	0.9	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=600mA	--	1.7	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=150mA	--	1.5	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=600mA	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=500mA；V_CE=1V	--	1.2	V

应用

低功率音频放大5~10W 音频放大器的互补对称输出级应用。
高速开关低电流高速开关与脉冲电路应用。
通用驱动继电器、LED 与小型负载的驱动应用。
线性稳压串联稳压电源的调整管应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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