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MJE18004 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：450V（Min）
集电极-基极电压 V_CBO：1000V
集电极电流 I_C：5A（峰值 I_CM=10A）
低饱和压降 V_CE(sat)：0.5V（Max）@ I_C=1A
高而平坦的直流增益，基极驱动需求低
关断无需基极线圈（无电流拖尾），开关速度快
热阻 R_th(j-c)=1.65℃/W，工作结温 -65 ~ 150℃
封装：TO-220

MJE18004 是一款 450V/5A（V_CBO=1000V）的硅 NPN 开关三极管，专为 220V 市电供电的开关电源与电子镇流器设计，具有高而平坦的增益与快速开关特性，为安森美（onsemi）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220	450	1000	5	75	14 ~ 34	-65 ~ 150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_j	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.65	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	450	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CB=450V；I_E=0	--	100	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=1000V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	100	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2.5V	12	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=5V	14	34	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=1V	6	--	--
h_FE4	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=1A；I_B=0.1A	--	0.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=2A；I_B=0.4A	--	0.45	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=2.5A；I_B=0.5A	--	0.75	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=1A；I_B=0.1A	--	1.1	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=2A；I_B=0.4A	--	1.25	V

应用

开关电源220V 市电供电的开关电源（SMPS）主开关。
电子镇流器荧光灯电子镇流器（Electronic light ballasts）。
功率变换逆变与能量转换电路的功率开关级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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