MJE15039 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-300V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-350V
集电极电流（I_C）：-10A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-5A，I_B=-0.5A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 60 @ I_C=-1A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W
与 MJE15038（NPN）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJE15039 是一款硅 PNP 高压功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 -300V/-10A 的电压电流能力、80W 的耗散功率与 -1.0V 的低饱和压降，与 NPN 型 MJE15038 互补配对，适用于高频音频功放的输出级与高压线性放大等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	350	300	5	10	1.0	30	60	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-350	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-300	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
P_C	总耗散功率 @ T_c=25℃	80	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-300	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-300V；I_E=0	--	-30	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-30	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	30	60	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-5A；V_CE=-5V	--	-1.2	V

应用

高频音频功放高频音频功放（High-frequency audio amplifiers）输出级应用。
高压线性放大高压线性放大与串联调整应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号