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MJE15036 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压：V_CEO(SUS)=250V（Min）
高直流电流增益：h_FE=5000（Min）@ I_C=0.5A；h_FE=3000（Min）@ I_C=2.0A
集电极电流（I_C）：8A；基极电流（I_B）：2A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
与 MJE15037 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W
封装：TO-220

MJE15036 是一款硅 NPN 功率三极管，具有高直流电流增益与高维持电压，适用于音频放大器高频驱动级，与 MJE15037 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	250	250	5	8	1.0	3000	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	250	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA，I_B=0	250	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A，I_B=0.1A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A，V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=250V，I_E=0	--	1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0	--	1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A，V_CE=5V	5000	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.5A，V_CE=5V	5000	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=2A，V_CE=5V	3000	--	--

应用

音频功放驱动音频放大器高频驱动级（High-Frequency Driver）。
互补配对与 MJE15037 配对组成互补音频放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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