MJE15034 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=350V（Min）
集电极电流：I_C=4A（连续）/ 8A（峰值）
集电极耗散功率：P_C=50W @ T_C=25℃
高电流增益带宽积，适合音频功放驱动级
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=1A
与 MJE15035（PNP）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJE15034 是一款 350V / 4A 硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，具有高电流增益带宽积与低饱和压降，专为音频放大器的高频驱动级设计，与 MJE15035（PNP）构成互补对管，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	T_j (℃)	Structure
TO-220	350	350	4	50	0.5	100	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	350	V
V_CEO	集电极-发射极电压	350	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	350	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=350V；I_E=0	--	10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	μA
h_FE1	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	100	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	100	--	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	50	--	--
h_FE4	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.1A	--	0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A；V_CE=5V	--	1.0	V

应用

音频功放驱动级音频放大器的高频驱动级（high-frequency drivers in audio amplifiers）。
通用功率放大中功率线性放大与开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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