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MJE15033 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-250V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-250V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-0.5V（Max）@ I_C=-1A
集电极电流（I_C）：-8A；峰值 I_CM：-16A；基极电流（I_B）：-2A
总耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：70（Min）@ I_C=-0.5A，V_CE=-5V
与 MJE15032 互补配对
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W
封装：TO-220

MJE15033 是一款硅 PNP 功率三极管，具有高集电极-发射极击穿电压与低饱和压降，与 MJE15032 互补配对，适用于高频音频放大器（High-Frequency Audio Amplifiers），为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-250	-250	-5	-8	-0.5	70	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-250	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-250	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-16	A
I_B	基极电流（连续）	-2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA，I_B=0A	-250	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-250V，I_E=0A	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0A	--	-10	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-0.5A，V_CE=-5V	70	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-1A，V_CE=-5V	50	--	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=-2A，V_CE=-5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A，I_B=-0.1A	--	-0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-1A，V_CE=-5V	--	-1.0	V

应用

高频音频放大高频音频放大器（High-Frequency Audio Amplifiers）功率级。
互补配对与 MJE15032 配对组成互补音频放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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