Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
MJE15028 是一款硅 NPN 功率三极管，具有高击穿电压、低饱和压降与高增益线性度，适用于高频音频放大器驱动与输出级应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Single-N | 120 | 120 | 5 | 8 | 0.5 | 40 | -- | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 120 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 120 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 8 | A |
| ICM | 集电极电流（脉冲） | 16 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 2 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 50 | W |
| TJ | 工作结温 | -65 ~ 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 2.5 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=10mA，IB=0A | 120 | -- | V |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=120V，IB=0A | -- | 0.1 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=120V，IE=0A | -- | 10 | µA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=5V，IC=0A | -- | 10 | µA |
| hFE1 | 直流电流增益 | IC=0.1A，VCE=2V | 40 | -- | -- |
| hFE2 | 直流电流增益 | IC=2A，VCE=2V | 40 | -- | -- |
| hFE3 | 直流电流增益 | IC=3A，VCE=2V | 40 | -- | -- |
| hFE4 | 直流电流增益 | IC=4A，VCE=2V | 20 | -- | -- |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=1A，IB=0.1A | -- | 0.5 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 | IC=1A，VCE=2V | -- | 1.0 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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