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MJE13009 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：400V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：700V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.0V（Max）@ I_C=5A
集电极电流（I_C）：12A；峰值 I_CM：24A；基极电流 I_B：6A
最大耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：8 ~ 40 @ I_C=5A；6 ~ 30 @ I_C=8A
高压高速功率开关，适用于感性负载开关电路
封装：TO-220

MJE13009 是一款硅 NPN 高压高速功率开关三极管，具有 700V 阻断能力与快速关断特性，特别适用于 115V/220V 开关模式应用中的感性负载功率开关，如开关稳压器、逆变器、电机控制、螺线管/继电器驱动与偏转电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	700	400	9	12	1.0~3.0	6	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	700	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	24	A
I_B	基极电流（连续）	6	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA，I_B=0	400	--	V
I_CEV	集电极截止电流	V_CEV=700V，V_BE(off)=1.5V	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V，I_C=0	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=5A，V_CE=5V	8	40	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=8A，V_CE=5V	6	30	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=1A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=1.6A	--	1.5	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=12A，I_B=3A	--	3.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=5A，I_B=1A	--	1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=1.6A	--	1.6	V

应用

开关电源（SMPS）115V/220V 开关模式电源功率开关。
开关稳压器/逆变器开关稳压器与逆变器功率级。
电机控制电机控制电路中的功率开关。
继电器/螺线管驱动继电器与电磁螺线管驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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