当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

MJE13007 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：400V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：700V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 16A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=2A，I_B=0.4A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：8 ~ 40 @ I_C=2A
高反压、高速开关
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJE13007 是一款硅 NPN 高压高速开关功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 400V/8A 的电压电流能力、700V 的集电极-基极电压与 80W 的耗散功率，饱和压降低、开关速度快，专为开关电源、逆变器与电机驱动等高压高速开关场合设计，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	700	400	9	8	1.0	8	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	700	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	16	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	总耗散功率 @ T_c=25℃	80	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=700V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	8	40	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	5	30	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.4A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=1.0A	--	2.0	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=2.0A	--	3.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.4A	--	1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=1.0A	--	1.6	V

应用

开关电源开关电源（Switching mode power supply）应用。
逆变器逆变器（Inverter）应用。
电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
高压高速开关高压高速功率开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号