MJE13005 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：400V
集电极-发射极电压（V_CEV）：700V
集电极电流（I_C）：4A（峰值 8A）
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=4A，I_B=1A
直流电流增益（h_FE）：10 ~ 60 @ I_C=1A；8 ~ 40 @ I_C=2A
总耗散功率（P_D）：75W @ T_C=25℃
700V 阻断能力、开关速度快（t_f 典型 0.9µs）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.67℃/W
封装：TO-220

MJE13005 是硅 NPN 功率三极管（SWITCHMODE 系列），具有 400V 的 V_CEO(sus) 与 700V 的阻断能力，4A 集电极电流、75W 耗散功率，开关速度快，适用于 115V/220V 开关电源、逆变器、电机控制与电磁阀/继电器驱动，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	700	400	9	4	1.0	8	60	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	700	V
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	400	V
V_CEV	集电极-发射极电压（V_BE(off)=1.5V）	700	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.67	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CEV	集电极截止电流	V_CEV=额定值；V_BE(off)=1.5V	--	15	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	1.0	mA
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	0.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.5A	--	0.6	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=1A	--	1.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.5A	--	1.6	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	10	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	8	40	--
C_ob	输出电容	V_CB=10V；f=0.1MHz	--	65	pF
f_T	过渡频率	V_CE=10V；I_C=0.5A	4	--	MHz

应用

开关电源115V/220V 开关电源（Switching regulators）应用。
逆变器与电机控制逆变器、电机控制（Inverters / Motor controls）应用。
电磁阀与继电器驱动电磁阀、继电器驱动（Solenoid / Relay drivers）应用。
偏转电路偏转电路（Deflection circuits）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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