当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

MJE13003 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压：V_CEO(sus)=400V
集电极-发射极电压（V_CEV）：700V
发射极-基极电压（V_EBO）：9V
集电极电流（I_C）：1.5A（峰值 3A）
总耗散功率（P_D）：40W @ T_C=25℃（1.4W @ T_A=25℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1A，I_B=0.25A
双扩散高速开关工艺
封装：TO-126

MJE13003 是一款硅 NPN 高压高速功率开关三极管，具有 700V/400V 的电压耐量与 1.5A 的电流能力，特别适用于 115V/220V 市电的开关电源、电子镇流器、逆变器、DC-DC 变换器、电机控制与继电器驱动等电感负载开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CEV (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_D (W)	V_CE(sat) (V)	Structure
TO-126	Single-N	700	400	9	1.5	3	40 (T_C=25℃)	1.0	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	400	V
V_CEV	集电极-发射极电压（基极反偏）	700	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
I_B	基极电流（连续）	0.75	A
I_BM	基极电流（峰值）	1.5	A
I_E	发射极电流（连续）	2.25	A
I_EM	发射极电流（峰值）	4.5	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃（25℃ 以上按 320mW/℃ 降额）	40	W
P_D	总耗散功率 @ T_A=25℃（25℃ 以上按 11.2mW/℃ 降额）	1.4	W
T_J	工作与存储结温	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	3.12	℃/W
R_θJA	结-环境热阻	89	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CEV	集电极截止电流	V_CE=700V；V_BE(off)=1.5V	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V	--	1.0	mA
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA	400	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.5A；I_B=0.1A	--	0.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=0.25A	--	1.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=0.5A	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=0.5A；I_B=0.1A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=0.25A	--	1.2	V
h_FE	直流电流增益	V_CE=2V；I_C=0.5A	8	40	--
h_FE	直流电流增益	V_CE=2V；I_C=1.0A	5	25	--

应用

开关电源115V/220V 开关电源（Switchmode Power Supply）应用。
电子镇流器电子镇流器（Electronic Light Ballasts）应用。
逆变器与变换器逆变器、DC-DC 变换器应用。
电机与继电器驱动电机控制、电磁阀/继电器驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号