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MJD47 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CB）：350V
集电极-发射极电压（V_CEO）：250V
集电极电流（I_C）：1A，脉冲 2A
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃；1.56W @ T_a=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1A
表面贴装功率封装，适合自动化贴片生产
封装：TO-252（DPAK，1 基极 / 2、4 集电极 / 3 发射极）

MJD47 是一款 250V、1A 的硅 NPN 高压功率三极管，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，与 TIP47 电气特性相当，适用于市电供电的音频输出级、开关电源驱动与各类功率开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252 (DPAK)	Single-N	350	250	5	1	1.0	30	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CB	集电极-基极电压	350	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EB	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1	A
I_CM	集电极电流（峰值）	2	A
I_B	基极电流	0.6	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
P_D	耗散功率 @ T_a=25℃	1.56	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	8.33	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	80	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	250	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=150V；I_B=0	--	0.2	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=350V；V_BE=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_BE=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=10V	30	150	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=10V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=1A；V_CE=10V	--	1.5	V
f_T	特征频率	I_C=0.2A；V_CE=10V；f=2MHz	10	--	MHz

应用

音频输出级市电供电音频功放输出级的功率放大应用。
开关电源驱动开关型电源的驱动与功率开关应用。
高压开关通用高压开关与脉冲电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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