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MJD44H11 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极电流（I_C）：8A（峰值 16A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=8A，I_B=0.4A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：60（Min）@ I_C=2A；40（Min）@ I_C=4A
开关速度快，与 MJD45H11（PNP）互补配对
结-壳热阻（R_{th j-c}）：6.25℃/W
封装：DPAK（表面贴装），与 D44H 系列电气性能相当

MJD44H11 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 80V/8A 的电压电流能力、低集电极-发射极饱和压降与快速开关特性，专为通用功率放大与开关设计，适用于开关稳压器、变换器与功率放大器的输出或驱动级，与 PNP 型 MJD45H11 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
DPAK	Single-N	80	80	5	8	1.0	40	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	16	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	80	--	V
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=1V	60	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=1V	40	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.4A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）应用。
变换器变换器（Converters）应用。
功率放大功率放大器输出或驱动级（Power amplifiers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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