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MJD32CSilicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极电流（I_C）：-3A（峰值 -5A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.2V（Max）@ I_C=-3A
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃（1.56W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：10 ~ 50 @ I_C=-3A
特征频率（f_T）：3MHz（Min）
与 MJD31C（NPN）互补配对

MJD32C 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 DPAK 表面贴装封装，具有 -100V/-3A 的电压电流能力与低饱和压降，与 NPN 型 MJD31C 互补配对，适用于低频功率放大、低电流高速开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
DPAK (TO-252)	Single-P	100	100	5	3	1.2	10	50	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	-5	A
I_B	基极电流	-1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.56	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	8.3	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.375A	--	-1.2	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-3A；V_CE=-4V	--	-1.8	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=-100V；V_EB=0	--	-20	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-60V；I_B=0	--	-50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-4V	25	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	10	50	--
f_T	特征频率	I_C=-0.5A；V_CE=-10V	3	--	MHz

应用

低频功率放大低频功率放大（Low power audio amplifier）应用。
低电流高速开关低电流高速开关（Low-current, high-speed switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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