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MJD31CSilicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：3A（峰值 5A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.2V（Max）@ I_C=3A
集电极耗散功率（P_D）：15W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：10 ~ 50 @ I_C=3A
与 MJD32C（PNP）互补配对
封装：DPAK（TO-252，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJD31C 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 DPAK 表面贴装封装，具有 100V/3A 的电压电流能力与低饱和压降，与 PNP 型 MJD32C 互补配对，适用于通用放大与低速开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
DPAK (TO-252)	Single-N	100	100	5	3	1.2	10	50	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	5	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	8.3	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0	--	50	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	20	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	25	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	10	50	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=375mA	--	1.2	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=3A；V_CE=4V	--	1.8	V

应用

通用放大通用放大（General purpose amplifier）应用。
低速开关低速开关（Low speed switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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