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MJD253 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-0.3V（Max）@ I_C=-500mA
集电极电流（I_C）：-4A；基极电流（I_B）：-1A
总耗散功率（P_D）：12.5W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=40 ~ 180 @ I_C=0.2A
DPAK 表面贴装封装，适合高密度贴装
结-壳热阻（R_{th j-c}）：10.0℃/W
封装：TO-251/TO-252

MJD253 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 DPAK 表面贴装封装，具有低饱和压降与高直流电流增益，适用于低电压、低功耗、高增益音频放大应用，与 MJD243 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251/TO-252	Single-P	-100	-100	-7	-4	-0.3	40	180	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-4	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	12.5	W
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	10.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA，I_B=0A	-100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V，I_E=0A	--	-100	nA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V，I_C=0A	--	100	nA
h_FE1	直流电流增益	I_C=0.2A，V_CE=1V	40	180	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=1A，V_CE=1V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A，I_B=-50mA	--	-0.3	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A，I_B=-100mA	--	-0.6	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-0.5A，V_CE=-1V	--	-1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-2A，I_B=-0.2A	--	-1.8	V

应用

音频放大低电压、低功耗、高增益音频放大器（Audio Amplifier）应用。
表面贴装功率级DPAK 表面贴装功率级与通用功率放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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