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MJD122 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极电流（I_C）：5A（峰值 8A）
高直流电流增益：h_FE=1000 ~ 12000 @ I_C=4A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃（降额 0.16W/℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=4A
E-C 间内置阻尼二极管，引脚成形适合表面贴装
与 MJD127（PNP）互补配对
封装：TO-252（DPAK）

MJD122 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有 100V/5A 的电压电流能力与 1000 以上的高直流电流增益，E-C 间内置阻尼二极管，适用于通用放大与低速开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252 (DPAK)	Single-N	100	100	5	5	2.0	1000	12000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	120	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃（降额 0.16W/℃）	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	10	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=4V	1000	12000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=4V	100	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=16mA	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=80mA	--	4.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=80mA	--	4.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A；V_CE=4V	--	2.8	V

应用

通用放大通用放大器（General Purpose Amplifier）应用。
低速开关低速开关（Low Speed Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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