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MJ802 国产替代High-Power NPN Silicon Transistor

High-Power NPN Silicon Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：90V，V_CBO 100V
集电极电流（I_C）：30A
高直流电流增益：h_FE = 25 ~ 100 @ I_C=7.5A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 0.8V @ I_C=7.5A，I_B=0.75A
宽安全工作区，TO-3 金属封装，25℃ 壳温耗散 200W
与 MJ4502（PNP）互补

大功率 NPN 硅晶体管，每声道 100W 音乐功率的互补音频功放输出级典型器件，结温可达 200℃。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-3(TO-204AA)	NPN	90	100	30	200	25~100	0.8

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	90	V
V_EBO	发射极-基极电压	4	V
I_C	集电极电流（连续）	30	A
I_B	基极电流（连续）	7.5	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	200	W
T_J	结温范围	-65~200	℃
T_stg	储存温度范围	-65~200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	0.88	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA; I_B=0	90	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V; I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V; I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=7.5A; V_CE=2V	25	100	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=7.5A; I_B=0.75A	--	0.8	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=7.5A; I_B=0.75A	--	1.3	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=7.5A; V_CE=2V	--	1.3	V

应用

音频功放输出级与 MJ4502 互补组成大功率推挽输出，适合 100W 级音频功放。
线性电源调整大电流输出场合作串联调整管。
电机与执行器驱动30A 电流能力，适合大功率直流电机驱动。
逆变与开关电路宽安全工作区，用于低频大电流开关场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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