MJ4502Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-90V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极电流（I_C）：-30A
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25 ~ 100 @ I_C=-7.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.8V（Max）@ I_C=-7.5A
与 MJ802（NPN）互补配对
封装：TO-3（TO-204）

MJ4502 是一款硅 PNP 大功率三极管，采用 TO-3（TO-204）金属封装，具有 -90V/-30A 的电压电流能力与 200W 的集电极耗散功率，电流增益高、安全工作区宽，与 NPN 型 MJ802 互补配对，适用于音频功率放大器输出级与通用功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-P	100	90	4	30	0.8	25	100	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-90	V
V_EBO	发射极-基极电压	-4	V
I_C	集电极电流（连续）	-30	A
I_B	基极电流	-7.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.88	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-90	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-7.5A；V_CE=-2V	25	100	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-7.5A；I_B=-0.75A	--	-0.8	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-7.5A；I_B=-0.75A	--	-1.3	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-7.5A；V_CE=-2V	--	-1.3	V

应用

音频功率放大音频功率放大器输出级（Audio amplifier output stage）应用。
通用功率放大通用功率放大（General-purpose power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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