MJ2955 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极电流（I_C）：-15A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.1V（Max）@ I_C=-4A
集电极耗散功率（P_D）：115W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 70 @ I_C=-4A
宽安全工作区（SOA）
结-壳热阻（R_θJC）：1.52℃/W
与 2N3055（NPN）互补配对
封装：TO-204（TO-3）（1 基极 / 2 发射极 / 壳体集电极）

MJ2955 是一款硅 PNP 互补功率三极管，采用 TO-204（TO-3）金属封装，具有 -60V/-15A 的电压电流能力、115W 的耗散功率与 -1.1V 的低饱和压降，安全工作区宽，与 NPN 型 2N3055 互补配对，适用于开关稳压器与音频/通用放大等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-204 (TO-3)	Single-P	100	60	7	15	1.1	20	70	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-7	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	115	W
T_J, T_stg	工作结温与存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	1.52	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-4V	20	70	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	5.0	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-1.1	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-3.3A	--	-3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4A；V_CE=-4V	--	-1.5	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）应用。
音频 / 通用放大音频与通用放大（Amplifiers applications）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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