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MJ15024 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：250V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：400V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.4V（Max）@ I_C=8A
集电极电流（I_C）：16A；峰值 I_CM=30A
总耗散功率（P_D）：250W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：15 ~ 60 @ I_C=8A，V_CE=4V
高安全工作区、高直流电流增益
封装：TO-3

MJ15024 是一款硅 NPN 功率三极管，具有高安全工作区与高直流电流增益，与 MJ15025（PNP）互补，适用于高功率音频放大、磁盘磁头定位器及其他线性应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	400	250	5	16	1.4	15	60	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_J	工作结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA，I_B=0	250	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=200V，I_B=0	--	500	µA
I_CEX	集电极截止电流	V_CE=250V，V_BE(off)=1.5V	--	250	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V，I_C=0	--	500	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=8A，V_CE=4V	15	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=16A，V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A，I_B=0.8A	--	1.4	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=16A，I_B=3.2A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=8A，V_CE=4V	--	2.2	V

应用

高功率音频放大高功率音频放大器输出级。
磁盘磁头定位器磁盘驱动器磁头定位驱动。
线性放大应用其他线性功率放大应用。
互补推挽输出与 MJ15025（PNP）配对组成互补推挽电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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