MJ15023Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-200V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-350V
集电极电流（I_C）：-16A（峰值 -30A）
总耗散功率（P_C）：250W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 60 @ I_C=-8A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.4V（Max）@ I_C=-8A
与 MJ15022（NPN）互补配对
封装：TO-3（TO-204，1 基极 / 2 发射极 / 壳体为集电极）

MJ15023 是一款硅 PNP 大功率三极管，采用 TO-3（TO-204）金属封装，具有 -200V/-16A 的电压电流能力与 250W 的总耗散功率，安全工作区宽、电流增益高，与 NPN 型 MJ15022 互补配对，适用于高功率音频、磁盘磁头定位等线性放大与开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-P	350	200	5	16	1.4	15	60	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-350	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-200	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-16	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-30	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_J	最高结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-200	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-150V；I_B=0	--	-500	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-200V；I_E=0	--	-250	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-500	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-4V	15	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-16A；V_CE=-4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-1.4	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-16A；I_B=-3.2A	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-8A；V_CE=-4V	--	-2.2	V

应用

高功率音频高功率音频放大器（High power audio）应用。
磁盘磁头定位磁盘磁头定位器（Disk head positioners）应用。
线性放大其他线性放大（Linear applications）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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