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MJ15015 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：120V
集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极电流（I_C）：15A
基极电流（I_B）：7A
集电极耗散功率（P_C）：180W @ T_C=25℃（降额 1.03W/℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.1V（Max）@ I_C=4A
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 70 @ I_C=4A
与 MJ15016（PNP）互补配对
封装：TO-3（TO-204AA）

MJ15015 是一款硅 NPN 大功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具有 120V/15A 的电压电流能力与 180W 的集电极耗散功率，安全工作区优于 2N3055，适用于高功率音频放大、步进电机驱动、DC-DC 变换器与逆变器等线性及开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3 (TO-204AA)	Single-N	200	120	7	15	1.1	20	70	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃（降额 1.03W/℃）	180	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.98	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	120	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0A	--	0.7	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0A	--	5.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0A	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	10	70	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=4V	20	70	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.4A	--	1.1	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=3.3A	--	3.0	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=7A	--	5.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A；V_CE=4V	--	1.8	V

应用

高功率音频放大高功率音频放大器（High Power Audio）输出级。
步进电机驱动步进电机与伺服驱动。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC Converters）应用。
逆变器逆变器（Inverters）应用。
继电器与电磁阀驱动继电器、电磁阀等感性负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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