MJ15004 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-140V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-140V
集电极电流（I_C）：-20A（基极电流 -5A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-5A，I_B=-0.5A
总耗散功率（P_C）：250W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25 ~ 150 @ I_C=-5A，V_CE=-2V
高安全工作区（100% 测试），失真低，与 MJ15003（NPN）互补配对
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.7℃/W
封装：TO-3（TO-204AA，1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极-外壳）

MJ15004 是一款硅 PNP 大功率三极管，具有 -140V/-20A 的电压电流能力与 250W 的耗散功率，h_FE 范围 25~150、失真低且安全工作区 100% 测试，与 NPN 型 MJ15003 互补配对，适用于大功率音频放大、磁盘头定位器及其他线性应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3 (TO-204AA)	Single-P	140	140	5	20	1.0	25	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-140	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-140	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-140	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-140V；I_B=0	--	-250	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-140V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-2V	25	150	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-5A；V_CE=-2V	--	-2.0	V

应用

大功率音频放大大功率音频放大（High power audio）应用。
磁盘头定位磁盘头定位器（Disk head positioners）应用。
线性应用其他线性放大（Linear applications）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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