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MJ15003 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：140V
集电极-发射极电压（V_CEO）：140V
集电极电流（I_C）：20A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：250W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
直流电流增益（h_FE）：25 ~ 150 @ I_C=5A
安全工作区宽，适合大功率音频输出
封装：TO-3

MJ15003 是一款 140V / 20A / 250W 的 NPN 硅功率三极管，采用 TO-3 金属封装，结温可达 200℃，安全工作区宽、线性好，与 MJ15004（PNP）互补，适用于大功率音频功放、磁盘头定位器与其他线性放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	Single-N	140	140	5	20	250	1.0	25 ~ 150	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	140	V
V_CEO	集电极-发射极电压	140	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	20	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_j	结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	140	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=140V；I_B=0	--	250	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=140V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=2V	25	150	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=5A；V_CE=2V	--	2.0	V

应用

大功率音频功放与 MJ15004 互补，用于推挽输出级。
磁盘头定位器直线电机的功率驱动。
线性稳压电源大电流串联调整管。
通用线性放大高保真模拟功率放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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