当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

MJ13333 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO ≥400V
集电极-基极电压 V_CBO：700V
集电极饱和压降 V_CE(sat) ≤1.8V @ I_C=10A / I_B=2A
集电极电流 I_C：20A 连续，I_CM：30A 峰值
总耗散功率 P_C：175W @ T_C=25℃
开关速度快，适合感性负载高速功率开关
封装：TO-3（TO-204AA）

MJ13333 是一款 400V/20A NPN 硅功率三极管，TO-3 金属封装，175W 耗散能力、关断速度快，专为感性负载中的高压高速功率开关设计，适用于开关电源、逆变器、电磁阀与继电器驱动、电机控制及偏转电路等场合，为 Motorola / onsemi 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	T_j (℃)
TO-3	400	700	20	30	175	≤1.8	10~60	-65~200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	700	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	20	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流（连续）	10	A
P_C	总耗散功率（T_C=25℃）	175	W
T_j	工作结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	400	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=700V；I_E=0A	--	0.25	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0A	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	10	60	--
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=10A；I_B=2A	--	1.8	V
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=20A；I_B=6.7A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=2A	--	1.8	V

应用

开关电源开关型稳压电源（Switching regulators）。
逆变器逆变电路（Inverters）。
电磁阀 / 继电器驱动电磁阀与继电器驱动（Solenoid and relay drivers）。
电机控制 / 偏转电路电机控制与偏转电路（Motor controls、Deflection circuits）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号