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MJ11033 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-120V（Min）
集电极电流 I_C：-50A（峰值 I_CM=-100A）
总耗散功率 P_C：300W @ T_C=25℃
高直流增益 h_FE：1000（Min）@ I_C=-25A；400（Min）@ I_C=-50A
低饱和压降 V_CE(sat)：-2.5V（Max）@ I_C=-25A
内置基极-发射极分流电阻，带二极管保护
封装：TO-3（TO-204）

MJ11033 是一款 -120V/-50A 的 PNP 达林顿功率三极管，h_FE 高达 1000 以上、内置基极-发射极分流电阻，适用于通用功率放大器的输出级与大电流开关场合，为安森美（onsemi）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-3	-120	-50	300	1000	-55 ~ 200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-50	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-100	A
I_B	基极电流（连续）	-2.0	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_j	结温	-55 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.58	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-120	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-25A；V_CE=-5V	1000	18000	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-50A；V_CE=-5V	400	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-25A；I_B=-250mA	--	-2.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-50A；I_B=-500mA	--	-3.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-25A；I_B=-200mA	--	-3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-50A；I_B=-300mA	--	-4.5	V

应用

音频/通用功放互补型通用放大器的输出级（General purpose amplifier）。
大电流开关电机、电磁阀等大电流负载开关。
线性稳压大电流线性电源的调整与功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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