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MJ11032 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极电流（I_C）：50A（峰值 100A）
极高直流电流增益：h_FE=1000 ~ 18000 @ I_C=25A
低饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=25A
集电极耗散功率（P_C）：300W @ T_c=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.58℃/W
与 MJ11033（PNP）互补配对
封装：TO-204（TO-3）（1 基极 / 2 发射极 / 壳体集电极）

MJ11032 是一款硅 NPN 大功率达林顿三极管，采用 TO-204（TO-3）金属封装，具有 120V/50A 的电压电流能力、300W 的耗散功率与 1000 以上的极高电流增益，2.5V 的低饱和压降，适用于通用放大与大电流开关等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-204 (TO-3)	Single-N (Darlington)	120	120	5	50	2.5	1000	18000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	50	A
I_CM	集电极电流（峰值）	100	A
I_B	基极电流（连续）	2.0	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	最高工作结温	-55 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.58	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=25A；V_CE=5V	1000	18000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=50A；V_CE=5V	400	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=250mA	--	2.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=50A；I_B=500mA	--	3.5	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=200mA	--	3.0	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=50A；I_B=300mA	--	4.5	V

应用

通用放大通用放大（General purpose amplifier）应用。
大电流开关大电流开关与电机、电磁阀驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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