MJ11029GSilicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极电流（I_C）：-50A（峰值 -100A）
饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-25A
集电极耗散功率（P_C）：300W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=1000 ~ 18000 @ I_C=-25A
内置基极-发射极分流电阻与二极管保护
最高结温（T_J）：200℃
封装：TO-3（TO-204）

MJ11029G 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具有 -60V/-50A 的电压电流能力、300W 耗散功率与极高的电流增益（h_FE≥1000），内置基极-发射极分流电阻与二极管保护，适用于大功率放大器输出级与线性电源等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3 (TO-204)	Single-P	60	60	5	50	2.5	1000	18000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-50	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-100	A
I_B	基极电流（连续）	-2.0	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	300	W
T_J	最高结温	-55 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.58	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-25A；V_CE=-5V	1000	18000	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-50A；V_CE=-5V	400	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-25A；I_B=-250mA	--	-2.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-50A；I_B=-500mA	--	-3.5	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=-25A；I_B=-200mA	--	-3.0	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=-50A；I_B=-300mA	--	-4.5	V

应用

通用放大器通用放大器输出级（General purpose amplifier）应用。
线性电源线性稳压电源（Linear power supply）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号