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MJ11021G 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-250V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-250V
发射极-基极电压（V_EBO）：-50V
集电极电流（I_C）：-15A（连续），峰值 -30A
集电极耗散功率（P_D）：175W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-2.0V（Max）@ I_C=-10A
高直流电流增益（h_FE）：400 ~ 15000 @ I_C=-10A
与 MJ11022（NPN）互补配对
封装：TO-3（TO-204）

MJ11021G 是一款 -250V / -15A / 175W 的 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3（TO-204）封装，电流增益高、饱和压降低，与 MJ11022（NPN）互补，适用于通用放大、低频开关与电机控制。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_D (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	Single-P	-250	-250	-50	-15	175	-3.4	400 ~ 15000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	-250	V
V_CBO	集电极-基极电压	-250	V
V_EBO	发射极-基极电压	-50	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-30	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_D	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	175	W
T_J	结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.86	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0	-250	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-250	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-50	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-100mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-15A；I_B=-150mA	--	-3.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-15A；I_B=-150mA	--	-3.8	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-10A；V_CE=-5V	--	-2.8	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CB=-125V；I_B=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-5V	400	15000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-15A；V_CE=-5V	100	--	--

应用

通用功率放大音频功放与仪器放大输出级。
低频开关低速大电流开关与续流回路。
电机控制直流电机与电磁执行器驱动。
串联稳压大电流串联调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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