Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
MJ11015 是一款 -120V / -30A 硅 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装，内置基极-发射极分流电阻，电流增益高达 1000 以上，适用于互补式通用放大器的输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | VCBO (V) | VCEO (V) | IC (A) | PC (W) | VCE(sat) (V) | hFE Min | Tj (℃) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3 | -120 | -120 | -30 | 200 | -3.0 | 1000 | 200 | Silicon PNP Darlington |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -120 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -120 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -30 | A |
| IB | 基极电流（连续） | -1 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 200 | W |
| TJ | 最高结温 | 200 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ 200 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 0.87 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-10mA；IB=0 | -120 | -- | V |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-50V；IB=0 | -- | -1.0 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-120V；IE=0 | -- | -1.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V；IC=0 | -- | -5.0 | mA |
| hFE1 | 直流电流增益 | IC=-20A；VCE=-5V | 1000 | -- | -- |
| hFE2 | 直流电流增益 | IC=-30A；VCE=-5V | 200 | -- | -- |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-20A；IB=-200mA | -- | -3.0 | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-30A；IB=-300mA | -- | -4.0 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=-20A；IB=-200mA | -- | -3.5 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=-30A；IB=-300mA | -- | -5.0 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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