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MJ10012 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压 V_CEO：400V
集电极-基极电压 V_CBO：600V
集电极电流 I_C：10A（峰值 I_CM=15A）
集电极耗散功率 P_C：175W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：300（Min）@ I_C=3A
饱和压降 V_CE(sat)：1.5V（Max）@ I_C=3A
封装：TO-3（金属）

MJ10012 是一款 400V/10A 的高压大电流 NPN 达林顿三极管，增益高、饱和压降低，适用于汽车点火、开关稳压器与电机控制等高压大电流开关场合，为安森美（onsemi / 原 Motorola）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3	400	10	175	300	-65 ~ 200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	600	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	175	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=400V；I_B=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CB=600V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	40	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=6V	300	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=6V	100	2000	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=6V	20	--	--
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和电压	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.5	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和电压	I_C=6A；I_B=0.6A	--	2.0	V
V_CE(sat)3	集电极-发射极饱和电压	I_C=10A；I_B=2A	--	2.5	V
V_BE(sat)1	基极-发射极饱和电压	I_C=6A；I_B=0.6A	--	2.5	V
V_BE(sat)2	基极-发射极饱和电压	I_C=10A；I_B=2A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=6V	--	2.8	V

应用

汽车点火汽车电子点火电路（Automotive ignition）。
开关稳压器开关型稳压电源。
电机控制电机驱动与控制。
通用功率放大通用功率放大器输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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