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MJ10005 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：400V；V_CEX：450V；V_CEV：500V
集电极电流（I_C）：20A（峰值 30A）
集电极耗散功率（P_C）：175W @ T_C=25℃
极高直流电流增益：h_FE=50 ~ 600 @ I_C=5A
内置反并联集电极-发射极二极管，可省外接钳位二极管
结温可达 200℃，适合感性负载高速开关
封装：TO-3

MJ10005 是一款 400V / 20A / 175W 的 NPN 单片达林顿三极管，采用 TO-3 封装，内置反并联集电极-发射极二极管与基极-发射极加速二极管，关断快、增益高，适用于电子点火、交流发电机调节器、电机控制与开关电源。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CEO (V)	V_CEX (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	T_j (℃)	Structure
TO-3	Single-N	400	450	20	175	1.9	50	200	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_CEX	集电极-发射极电压（V_BE=0）	450	V
V_CEV	集电极-发射极电压（V_BE 反偏）	500	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	20	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流（连续）	2.5	A
P_C	集电极耗散功率	175	W
T_j	最高结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=400mA	--	1.9	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=2.0A	--	3.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=400mA	--	2.5	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=400mA；T_C=100℃	--	2.5	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=400V；I_B=0	--	5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=400V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=2V；I_C=0	--	175	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	50	600	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=5V	40	400	--

应用

电子点火汽车点火线圈的开关驱动。
交流发电机调节器励磁电流的开关控制。
电机控制直流电机与步进电机的功率驱动。
开关电源离线式开关电源的功率开关级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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