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MCR225-10FP 国产替代Silicon Controlled Rectifier

Silicon Controlled Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM）：800V
反向重复峰值电压（V_RRM）：800V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：25A @ T_C=70℃
浪涌电流（I_TSM）：340A @ 60Hz 半波
通态压降（V_TM）：1.8V（Max）@ I_TM=50A
门极触发电流（I_GT）：40mA（Max）
平均门极功率（P_G(AV)）：0.5W
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.5℃/W
绝缘封装，便于安装
封装：TO-220F（绝缘）

MCR225-10FP 是一款 800V / 25A（RMS）的逆阻型单向晶闸管，采用 TO-220F 绝缘封装，玻璃钝化结、中心门极触发，参数一致性好，适用于电机控制、加热控制、电源撬棒保护与半波交流控制等场合。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (mA)	V_GT (V)	V_TM (V)	T_j (℃)
TO-220F	800	25	340	40	1.5	1.8	-40 ~ 125

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	800	V
V_RRM	反向重复峰值电压	800	V
I_T(RMS)	通态均方根电流 @ T_C=70℃	25	A
I_TSM	浪涌非重复通态电流（1/2 周，60Hz 正弦，T_C=70℃）	340	A
P_G(AV)	平均门极功率耗散	0.5	W
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM/I_DRM	重复峰值反向 / 断态电流	V_RM=V_RRM；V_DM=V_DRM；T_j=25℃	--	0.01	mA
I_RRM/I_DRM	重复峰值反向 / 断态电流	V_RM=V_RRM；V_DM=V_DRM；T_j=125℃	--	2	mA
V_TM	通态压降	I_TM=50A	--	1.8	V
I_GT	门极触发电流	V_D=12V；R_L=100Ω	--	40	mA
V_GT	门极触发电压	V_D=12V；R_L=100Ω	--	1.5	V

应用

电机控制交流电机的半波控制与调速。
加热控制加热装置的功率调节。
电源撬棒保护过压保护撬棒电路。
交流开关半波交流静态开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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