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MCR100-8 国产替代Sensitive Gate SCR

Sensitive Gate SCR ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

断态重复峰值电压（V_DRM/V_RRM）：600V
通态均方根电流（I_T(RMS)）：0.8A
非重复浪涌电流（I_TSM）：10A（60Hz）
灵敏栅极：I_GT=200µA（Max），V_GT=0.8V（Max）
通态压降：V_TM=1.7V（Max）
维持电流（I_H）：5mA（Max）
断态漏电流（I_DRM）：10µA（Max）
工作结温：-40 ~ 110℃
封装：TO-92（1 阴极 / 2 栅极 / 3 阳极）

MCR100-8 是一款灵敏栅极小功率单向可控硅，采用 TO-92 封装，具有 600V 的断态重复峰值电压、0.8A 通态均方根电流与 200µA 的极低栅极触发电流，可直接由逻辑电路驱动，适用于小功率交流开关、继电器与灯控、相位控制及过压保护等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(RMS) (A)	I_TSM (A)	I_GT (µA)	V_GT (V)	V_TM (V)	T_j (℃)	Structure
TO-92	600	0.8	10	200	0.8	1.7	110	Silicon SCR

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	断态重复峰值电压	600	V
V_RRM	反向重复峰值电压	600	V
I_T(RMS)	通态均方根电流	0.8	A
I_TSM	非重复浪涌通态电流（60Hz）	10	A
T_j	工作结温	-40 ~ 110	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 110	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_GT	栅极触发电压	V_D=12V；R_L=100Ω	--	0.8	V
I_GT	栅极触发电流	V_D=12V；R_L=100Ω	--	200	µA
V_TM	通态峰值电压	I_T=1A	--	1.7	V
I_H	维持电流	V_D=12V；I_G=1mA	--	5	mA
I_DRM	断态峰值电流	V_D=V_DRM；T_j=25℃	--	10	µA

应用

小功率交流开关小功率交流开关（AC switching）应用。
继电器 / 灯控驱动继电器与灯具控制的驱动应用。
相位控制相位控制（Phase control）应用。
过压保护过压保护（Overvoltage protection）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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