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MBRF1560CTSchottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：60V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：15A @ T_C=105℃
低正向压降：V_F=0.75V @ I_F=7.5A，T_C=25℃（0.65V @ 125℃）
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：150A（8.3ms 单半波正弦）
高工作结温：T_J=150℃
保护环结构，抑制应力与浪涌
双管共阴结构，隔离封装（ITO-220AB）

MBRF1560CT 是一款硅肖特基势垒整流二极管，采用 ITO-220AB 隔离封装的双管共阴极结构，具有 60V 反向耐压、15A 正向电流能力与低正向压降、高浪涌耐受特性，适合低压高频逆变器、续流与极性保护等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	I_R	T_J (℃)	Structure
ITO-220AB	Common Cathode	60	15	150	0.75	1.0 mA	150	Silicon Schottky

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	60	V
V_RWM	工作峰值反向电压	60	V
V_R	直流阻断电压	60	V
I_F(AV)	平均整流正向电流 @ T_C=105℃	15	A
I_FRM	峰值重复正向电流 @ T_C=105℃（额定 V_R，方波 20kHz）	15	A
I_FSM	峰值正向浪涌电流（8.3ms 单半波正弦）	150	A
dv/dt	电压变化率（额定 V_R）	10,000	V/µs
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.0	℃/W

电气特性（脉冲测试：脉宽 300µs，占空比 ≤2%）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=7.5A；T_C=25℃	--	0.75	V
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=7.5A；T_C=125℃	--	0.65	V
I_R	最大反向瞬时电流	额定直流阻断电压；T_C=25℃	--	1.0	mA
I_R	最大反向瞬时电流	额定直流阻断电压；T_C=125℃	--	50	mA

应用

低压高频逆变器低压高频逆变器（Low voltage high frequency inverters）应用。
续流二极管续流（Free wheeling）应用。
极性保护极性保护（Polarity protection）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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