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MBRB20H100 国产替代Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：100V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：10A/每臂，整管 20A
不重复峰值浪涌电流（I_FSM）：250A
正向压降（V_F）：≤0.77V @ 10A；≤0.88V @ 20A（T_j=25℃）
175℃ 工作结温，反向漏电流低
低功耗、高效率，双管共阴结构
封装：D²PAK（TO-263）

MBRB20H100 是一款 100V/20A（10A×2）双管共阴高压肖特基整流二极管，D²PAK（TO-263）贴片封装，正向压降低、浪涌耐量 250A、175℃ 结温能力，适合开关电源输出整流、电源管理与仪器等应用，为 onsemi 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_j (℃)	Configuration
D²PAK	100	10×2	250	≤0.88	175	双管共阴

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM / V_RWM / V_R	峰值重复反向电压 / 工作峰值反向电压 / 直流阻断电压	100	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（每臂，额定 V_R）	10	A
I_FSM	不重复峰值浪涌电流（8.3ms 半波，额定负载条件）	250	A
T_J	工作结温	175	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结到壳热阻	2.0	℃/W

电气特性（脉冲测试：脉宽 300µs，占空比 ≤1%）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大瞬时正向电压	I_F=10A；T_j=25℃	--	0.77	V
V_F	最大瞬时正向电压	I_F=20A；T_j=25℃	--	0.88	V
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM；T_j=25℃	--	4.5	µA

应用

开关电源输出整流开关电源输出整流（Power supply output rectification）。
电源管理电源管理回路（Power management）。
仪器仪器供电整流（Instrumentation）。
转换器 / 续流变换器与续流回路（Converters，freewheeling diodes）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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