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MBR60200PT 国产替代Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：200V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：60A
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：400A（8.3ms 单半波）
正向压降：V_F=0.9V（Max）@ I_F=30A，T_C=25℃
反向漏电流：0.05mA @ 25℃ / 10mA @ 100℃
共阴双二极管结构，适用高频整流
电压变化率 dv/dt：1000V/μs
封装：TO-247

MBR60200PT 是一款 200V / 60A 共阴双肖特基整流二极管，采用 TO-247 封装，正向压降低、浪涌能力强，适用于低压高频逆变器、续流与极性保护电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	I_R (mA)	T_j (℃)
TO-247	Dual common cathode	200	60	400	0.9	0.05	-55 ~ 150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	200	V
V_R(RMS)	反向均方根电压	140	V
V_R	直流阻断电压	200	V
I_F(AV)	平均整流正向电流	60	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（8.3ms）	400	A
I_RRM	峰值重复反向浪涌电流（20µs，1kHz）	1.0	A
dv/dt	电压变化率（额定 V_R）	1000	V/µs
T_j	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	正向压降	I_F=30A；T_C=25℃	--	0.9	V
I_R	反向漏电流	V_R=V_RWM；T_C=25℃	--	0.05	mA
I_R	反向漏电流	V_R=V_RWM；T_C=100℃	--	10	mA

应用

高频逆变器低压高频逆变器输出整流。
开关电源SMPS 二次侧整流与续流。
极性保护电源输入端防反接保护。
DC-DC 变换器大电流降压变换器的整流管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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