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MBR60100PT 国产替代Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：100V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：60A（整管）
不重复峰值浪涌电流（I_FSM）：420A
正向压降（V_F）：≤0.84V @ I_F=30A（T_C=25℃）
金属硅结、多数载流子导电，低功耗高效率
保护环过压保护，共阴双管结构
封装：TO-247 / TO-3P（TO-247AD）

MBR60100PT 是一款 100V/60A 双肖特基整流二极管，共阴双管结构、TO-247/TO-3P 封装，正向压降低、浪涌能力强，适合低压高频逆变器、续流与极性保护等场合，为 Panjit / TSC 等同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_j (℃)	Configuration
TO-247/TO-3P	100	60	420	≤0.98	150	共阴双管

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM / V_RWM / V_R	峰值重复反向电压 / 工作峰值反向电压 / 直流阻断电压	100	V
V_R(RMS)	RMS 反向电压	70	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（整管）	60	A
I_FSM	不重复峰值浪涌电流（8.3ms 单个半正弦波）	420	A
I_RRM	峰值重复反向浪涌电流（20µs，1kHz）	1.0	A
dv/dt	电压变化率（额定 V_R）	1000	V/µs
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.2	℃/W

电气特性（脉冲测试：脉宽 300µs，占空比 ≤1%）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=30A；T_C=25℃	--	0.84	V
V_F	最大瞬时正向压降	I_F=60A；T_C=125℃	--	0.98	V
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM；T_C=25℃	--	1.0	mA
I_R	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM；T_C=125℃	--	10	mA

应用

低压高频逆变器低电压、高频逆变器（Low voltage, high frequency inverters）。
续流二极管开关电路中的续流二极管（Free wheeling）。
极性保护电源极性保护（Polarity protection）。
开关电源输出整流开关电源低压大电流输出整流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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