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MBR2060CT 国产替代Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

峰值重复反向电压（V_RRM）：60V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：20A @ T_C=110℃
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：150A
低正向压降：V_F=0.7V（Max）@ I_F=10A，T_j=25℃
低功耗、高效率，高结温能力
共阴双管结构
封装：TO-220F（绝缘全塑）

MBR2060CT 是一款 20A / 60V 肖特基势垒整流二极管，采用 TO-220F 绝缘全塑封装与共阴双管结构，正向压降低、功耗小、结温能力高，适用于开关电源、续流二极管、反接电池保护与中心抽头整流等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	T_j (℃)	Structure
TO-220F	Common Cathode	60	20	150	0.7	150	Silicon Schottky

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM / V_RMS / V_R	峰值重复反向电压 / RMS 电压 / 直流阻断电压	60	V
I_F(AV)	平均整流正向电流 @ T_C=110℃	20	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（10ms 单半正弦，叠加额定负载）	150	A
T_J	结温	-40 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=10A；T_j=25℃	--	0.7	V
V_F	最大正向瞬时电压	I_F=10A；T_j=125℃	--	0.65	V
I_R	最大反向瞬时电流	V_R=额定 V_RRM；T_j=25℃	--	0.05	mA
I_R	最大反向瞬时电流	V_R=额定 V_RRM；T_j=125℃	--	50	mA

应用

开关电源开关电源（Switching power supply）应用。
续流二极管续流（Free-wheeling diodes）应用。
反接电池保护反接电池保护（Reverse battery protection）应用。
中心抽头整流中心抽头整流（Center tap configuration）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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