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MBR10200CS 国产替代Schottky Barrier Rectifier

Schottky Barrier Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

反向重复峰值电压（V_RRM）：200V
平均整流电流（I_o）：5A（每管）/ 10A（整管）@ T_a=25℃
正向浪涌电流（I_FSM）：130A @ 8.3ms 单半波
正向压降（V_F）：0.92V（Max）@ I_F=5A，T_a=25℃
反向漏电流（I_R）：5µA（Max）@ V_R=200V
最高结温（T_j）：150℃
共阴双管结构，一致性好
封装：TO-252

MBR10200CS 是一款 200V / 10A 的肖特基势垒整流二极管，采用 TO-252 封装，共阴双管结构，具备保护环芯片设计，低功耗、高效率、高浪涌能力，适用于开关电源、续流与极性保护电路。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_o (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	I_R (µA)	T_j (℃)	Configuration
TO-252	200	5×2	130	0.92	5	150	Dual Common Cathode

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	反向重复峰值电压	200	V
V_RWM	反向工作峰值电压	200	V
V_R	直流阻断电压	200	V
I_o	平均整流正向电流（每管 / 整管）	5 / 10	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流 @ 8.3ms	130	A
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻（每管）	2.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F	最大正向压降	I_F=5A；T_a=25℃	--	0.92	V
V_F	最大正向压降	I_F=5A；T_a=125℃	--	0.72（TYP）	V
I_R	最大反向漏电流	V_R=V_RWM；T_a=25℃	--	5	µA
I_R	最大反向漏电流	V_R=V_RWM；T_a=125℃	--	0.5	mA

应用

开关电源SMPS 输出整流与续流。
续流二极管低压高频逆变器中的续流回路。
反向电池保护电池供电系统的防反接保护。
中心抽头整流中心抽头式全波整流电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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