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M3770ZC200 国产替代Fast Recovery Diode

Fast Recovery Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：2000V
平均正向电流 I_F(AV)：3770A @ T_C=55℃
正向均方根电流 I_F(RMS)：7109A
非重复峰值浪涌电流 I_FSM：44.0kA（t_p=10ms，V_RM=60%V_RRM）；48.4kA（V_RM≤10V）
熔断 I²t：9.68×10⁶ A²s（t_p=10ms，V_RM=60%V_RRM）
正向电压（V_FM）：1.74V（Max）@ I_F=4700A
高浪涌电流额定与高阻断电压
结-散热器热阻（R_{th j-h}）：0.011℃/W（双面散热）
封装：Disc 压接式（Ø110×38）

M3770ZC200 是一款压接式（Disc）快恢复二极管，具有高浪涌电流额定与高阻断电压特性，适用于电池充电器与整流应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	R_th(j-c)	T_J (℃)	Technology
Disc（Ø110×38）	Single	2000	3770	44000	1.74	0.011 (℃/W)	-40 ~ 150	Fast Recovery

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	二极管反向电压 @ T_J=25℃	2000	V
I_F(AV)	直流电流 @ T_C=55℃	3770	A
I_FSM	脉冲二极管电流（t_p=10ms，V_RM=60%V_RRM）	44.0	kA
I_FSM	脉冲二极管电流（t_p=10ms，V_RM≤10V）	48.4	kA
I_F(RMS)	正向均方根电流	7109	A
I²t	熔断 I²t（t_p=10ms，V_RM=60%V_RRM）	9.68 × 10⁶	A²s
I²t	熔断 I²t（t_p=10ms，V_RM≤10V）	11.7 × 10⁶	A²s
T_J	工作结温	-40 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-h}	结-散热器热阻（双面散热）	0.011	℃/W
R_{th j-h}	结-散热器热阻（单面散热）	0.022	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_FM	二极管正向电压	I_F=4700A	--	--	1.74	V
V_FM	二极管正向电压	I_F=7500A	--	--	2.05	V
V_TO	阈值电压	--	--	--	1.19	V
r_T	斜率电阻	--	--	--	0.118	mΩ
I_RRM	峰值反向电流	V_R=2000V	--	--	150	mA
t_rr	反向恢复时间	I_FM=1000A，t_p=1000µs，di/dt=60A/µs，V_r=50V，50% Chord	--	10	--	µs

应用

电池充电器电池充电（Battery Charger）设备。
整流整流（Rectification）电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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