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KTD1414Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：4A
饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=3A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=2000（Min）@ I_C=1A，V_CE=2V
开关时间：t_on=0.2µs，t_stg=1.5µs，t_f=0.6µs
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

KTD1414 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220F 隔离封装，具有 80V/4A 的电压电流能力与 h_FE≥2000 的高电流增益，驱动电流小、开关速度快，适用于开关电路、锤击驱动与脉冲电机驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	100	80	5	4	1.5	1000	2000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=6mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=6mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	20	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	2000	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	1000	--	--
t_on	导通时间	I_B1=I_B2=6mA；R_L=10Ω；V_CC=30V	--	0.2	µs
t_stg	存储时间	I_B1=I_B2=6mA；R_L=10Ω；V_CC=30V	--	1.5	µs
t_f	下降时间	I_B1=I_B2=6mA；R_L=10Ω；V_CC=30V	--	0.6	µs

应用

开关应用开关（Switching applications）应用。
锤击驱动锤击驱动（Hammer driver）应用。
脉冲电机驱动脉冲电机驱动（Pulse motor driver）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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