PNP Epitaxial Silicon Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
KSH45H11I 是一款 PNP 外延硅功率三极管，具有快速开关速度与低集电极-发射极饱和压降，适用于开关稳压器、变换器、功率放大器等通用功率与开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-251 (IPAK) | Single-P | — | -80 | -5 | -8 | -1.0 | 60 | — | Silicon PNP |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -80 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -8 | A |
| ICP | 集电极电流（脉冲） | -16 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 20 | W |
| PC | 集电极耗散功率 @ Ta=25℃ | 1.75 | W |
| TJ | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-30mA，IB=0 | -80 | -- | -- | V |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-80V，IB=0 | -- | -- | -10 | µA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V，IC=0 | -- | -- | -50 | µA |
| hFE1 | 直流电流增益 | VCE=-1V，IC=-2A | 60 | -- | -- | -- |
| hFE2 | 直流电流增益 | VCE=-1V，IC=-4A | 40 | -- | -- | -- |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-8A，IB=-0.4A | -- | -- | -1.0 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=-8A，IB=-0.8A | -- | -- | -1.5 | V |
| fT | 电流增益带宽积 | VCE=-10V，IC=-0.5A | -- | 40 | -- | MHz |
| Cob | 集电极输出电容 | VCB=-10V，f=1MHz | -- | 230 | -- | pF |
| ton | 开通时间 | IC=-5A，IB1=-IB2=-0.5A | -- | 135 | -- | ns |
| tstg | 存储时间 | IC=-5A，IB1=-IB2=-0.5A | -- | 500 | -- | ns |
| tf | 下降时间 | IC=-5A，IB1=-IB2=-0.5A | -- | 100 | -- | ns |
注：脉冲测试：脉宽 ≤300µs，占空比 ≤2%。
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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