KSH210 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-40V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-25V
集电极电流（I_C）：-5A，脉冲 -10A
集电极耗散功率（P_C）：12.5W @ T_C=25℃；1.4W @ T_a=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.8V（Max）@ I_C=-5A
直流电流增益（h_FE）：45 ~ 180 @ I_C=-2A
表面贴装功率封装，适合自动化贴片生产
封装：TO-252（DPAK，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

KSH210 是一款硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有 -40V 集电极-基极电压、-25V 集电极-发射极电压与 -5A 集电极电流能力，直流电流增益 45~180，饱和压降与热阻表现优良，适合空间受限的贴片化电源与驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252 (DPAK)	Single-P	-40	-25	-8	-5	-1.8	45	180	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-40	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-25	V
V_EBO	发射极-基极电压	-8	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_C	集电极电流（脉冲）	-10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.4	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	12.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-25	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-0.3	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-200mA	--	-0.75	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-1A	--	-1.8	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-1A	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-2A；V_CE=-1V	--	-1.6	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-100	nA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-8V；I_C=0	--	-100	nA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-1V	70	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-1V	45	180	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-2V	10	--	--
f_T	特征频率	I_C=-0.1A；V_CE=-10V	--	65	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	120	pF

应用

通用开关通用电源与负载通路的开关控制应用。
音频功放低频功率放大器的推动与输出级应用。
电源调整线性稳压与电源调整电路的功率调整应用。
电机驱动小型直流电机与继电器的驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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