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KSH13009AL 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
集电极-基极电压（V_CBO）：700V
发射极-基极电压（V_EBO）：9V
集电极电流（I_C）：12A
集电极耗散功率（P_C）：130W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=8A，I_B=1.6A
直流电流增益（h_FE）：8 ~ 40 @ I_C=5A
封装：TO-3P

KSH13009AL 是一款 400V / 12A 的高压高速 NPN 开关三极管，采用 TO-3P 封装，开关速度快、饱和压降低，适用于开关稳压器、逆变器、电机控制与电磁阀驱动等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-3P	Single-N	700	400	9	12	130	1.5	8	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	700	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_B	基极电流	6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	130	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=1A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.5	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=12A；I_B=3A	--	3.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=1A	--	1.2	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.6	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=700V；I_E=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=700V；I_E=0；T_C=100℃	--	5.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	8	40	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=5V	6	30	--

应用

开关稳压器SMPS 主开关与功率变换级。
逆变器DC-AC 逆变与电子镇流电路。
电机控制直流电机调速与驱动。
电磁阀与继电器驱动感性负载的开关驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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