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KSE350 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-260V（Min）
集电极-基极击穿电压（V_(BR)CBO）：-300V（Min）
集电极电流（I_C）：-0.5A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃（1.3W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 240 @ I_C=-50mA
高耐压、低饱和压降，批次一致性好
与 KSE340（NPN）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

KSE350 是一款硅 PNP 高压功率三极管，具有 -260V/-0.5A 的电压电流能力与高耐压、低饱和压降特性，与 NPN 型 KSE340 互补配对，适用于高压通用放大与变压器驱动等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	300	260	5	0.5	--	30	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-260	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.3	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1.0mA；I_B=0	-260	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1.0mA；I_E=0	-300	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-300V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-50mA；V_CE=-10V	30	240	--

应用

高压通用应用高压通用（High voltage general purpose）应用。
变压器驱动变压器驱动（Suitable for transform）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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