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KSC5338D 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO）：450V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：1000V
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.5V（Max）@ I_C=0.8A
集电极电流（I_C）：5A；峰值 I_CM：10A
总耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：15（Min）@ I_C=0.8A，V_CE=1V
批次间参数一致性好，性能稳定可靠
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.65℃/W
封装：TO-220C

KSC5338D 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有高集电极-发射极维持电压（450V Min）与低饱和压降、批次间一致性好、性能稳定可靠的特点，适用于高压及通用功率应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	1000	450	12	5	0.5	15	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1000	V
V_CEO	集电极-发射极维持电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	12	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.65	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1.0mA，I_E=0	1000	--	V
V_CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=5.0mA，I_B=0	450	--	V
V_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA，I_C=0	12	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V，I_E=0	--	10	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=450V，I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=10V，I_C=0	--	10	µA
V_CE(sat)①	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.8A，I_B=0.08A	--	0.5	V
V_CE(sat)②	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A，I_B=0.4A	--	0.75	V
V_CE(sat)③	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.8A，I_B=0.04A	--	1.5	V
V_CE(sat)④	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A，I_B=0.2A	--	0.5	V
V_BE(sat)①	基极-发射极饱和压降	I_C=0.8A，I_B=0.08A	--	1.0	V
V_BE(sat)②	基极-发射极饱和压降	I_C=2A，I_B=0.4A	--	1.0	V
h_FE①	直流电流增益	I_C=0.8A，V_CE=1V	15	--	--
h_FE②	直流电流增益	I_C=2A，V_CE=1V	6	--	--
h_FE③	直流电流增益	I_C=1A，V_CE=2.5V	18	--	--

应用

高压应用高压功率电路。
通用功率应用通用功率放大与开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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